模拟集成电路设计系列博客——3.4.3 低压降稳压器

3.4.3 低压降稳压器当稳压器输出必须要仅比\(V_{DD}\)低\(200-400mV\)，并且无法低阈值电压（\(V_t\)接近零）的NMOS器件时，有必要使用一个PMOS器件作为\(Q_1\)。如下图所示，在这个例子中，栅电压\(V_1\)低于\(V_{DD}\)，稳压器压只受到\(V_{