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2023年11月13日
模拟集成电路设计系列博客——3.4.3 低压降稳压器
摘要： 3.4.3 低压降稳压器 当稳压器输出必须要仅比\(V_{DD}\)低\(200-400mV\)，并且无法低阈值电压（\(V_t\)接近零）的NMOS器件时，有必要使用一个PMOS器件作为\(Q_1\)。如下图所示，在这个例子中，栅电压\(V_1\)低于\(V_{DD}\)，稳压器压只受到\(V_{ 阅读全文
posted @ 2023-11-13 22:57 sasasatori 阅读(76) 评论(0) 推荐(0) 编辑